На данный момент самая устройства оптоэлектроники и гибкая электроника изготовлены, применяя органические материалы. Но неорганические составные полупроводники, такие как галлий азотируют (GaN), может обеспечить множество плюсов перед органическими материалами для применения в этих устройствах – включая превосходящие оптические, электрические и механические особенности.Одно основное препятствие, которое до сих пор предотвратило применение неорганических составных полупроводников в этих типах заявлений, было трудностью роста их на эластичных основаниях.
В Материалах языка АПЛ издания, от AIP Publishing, команда исследователей Сеульского национального университета (SNU) во главе с доктором наук Гю-аккумуляторная И обрисовывает их рост работы микропруты GaN на графене, дабы создать передаваемые светодиоды и разрешить фальсификацию сгибаемых и поддающихся растягиванию устройств.«Микроструктуры GaN и наноструктуры завлекают внимание в научном сообществе как устройства светового излучения из-за их переменно-цветного высокоплотных свойств и светового излучения интеграции», растолковал И. «В то время, когда объединено с графеновыми основаниями, эти микроструктуры кроме этого показывают отличную терпимость к механической деформации».
Из-за чего выбирают графен для оснований? Ультратонкие графеновые фильмы складываются из слабо слоев, хранящихся на таможенных складах, шестиугольным образом устроенных атомов углерода, скрепляемых сильными ковалентными связями.
Это делает графен совершенным основанием, «по причине того, что он предоставляет желаемой гибкости отличную механическую силу – и это кроме этого химически и физически стабильно при температурах сверх 1,000°C», сообщил И.Принципиально важно подчернуть, что для роста микропрута GaN, весьма устойчивая и бездействующая поверхность графена предлагает маленькое количество мест образования ядра для роста GaN, что увеличил бы трехмерный островной рост микропрутов GaN на графене.Дабы создать фактические светодиоды микроструктуры GaN на графеновых основаниях, команда применяет процесс железны-органического химического смещения пара (MOCVD) без катализатора, что они развивали назад в 2002.«Среди главных параметров техники нужно поддержать высокую кристалличность, контроль над допингом, формированием квантовых структур и гетероструктур и вертикально выровненного роста на главные основания», говорит И.
В то время, когда команды помещают bendability и надежность светодиодов микропрута GaN, изготовленных на графене к тесту, они нашли, что «получающиеся эластичные светодиоды продемонстрировали интенсивную электролюминесценцию (EL) и были надежны – не было никакой большой деградации в оптической работе по окончании 1 000 сгибающихся циклов», отметил Кунук Чанг, ведущий аспирант и автор статьи в Физическом факультете SNU.Это воображает громадный прорыв для электроники устройств оптоэлектроники и следующего поколения – предоставление возможности применения широкомасштабных и недорогих производственных процессов.«Применяя в собственных заинтересованностях графеновые фильмы большего размера, гибридные гетероструктуры смогут употребляться, дабы изготовить устройства оптоэлектроники и различную электронику, такие как эластичные и носимые светодиодные дисплеи для коммерческого применения», сообщил И.