Связанный интерфейс при комнатной температуре улучшает охлаждение устройств из нитрида галлия
Этот метод, называемый поверхностно-активируемым связыванием, использует источник ионов в среде высокого вакуума для первой очистки поверхностей GaN и алмаза, который активирует поверхности, создавая оборванные связи. Введение небольшого количества кремния в ионные пучки способствует формированию прочных атомных связей при комнатной температуре, что позволяет напрямую связывать GaN и монокристаллический алмаз, что позволяет изготавливать транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT). …