В этих приложениях синтез пленок CrO2 имеет фундаментальное значение, в первую очередь из-за сложности его синтеза, поскольку не известно, что он образуется при атмосферном давлении в чистом виде. Были предприняты активные усилия по выращиванию высококачественных пленок CrO2, но технология выращивания все еще требует исследований.
Пленка CrO2 высокого качества на подложке TiO2 с ориентацией (100) была успешно изготовлена простым способом при атмосферном давлении в чистом виде, а также были изучены транспортные и магнитные свойства.
О высоком качестве образца свидетельствуют рентгенограммы с узкой шириной 0.38o на кривой качания пика (200).
Температурную зависимость удельного сопротивления можно описать с помощью ρ(Т) =ρ0 + AT2exp (-?/ T) в диапазоне 0.6-300 К. Магнитные измерения в плоскости показывают, что намагниченность пленки насыщается в относительно слабом поле с небольшим коэрцитивным полем. Температурная зависимость намагниченности соответствует закону Блоха T3 / 2, а наклон указывает на критическую длину волны λ? ~ 26.6 A, за пределами которого становится важным рассеяние с переворотом спина.