Открытие открывает новые перспективы для компьютерных некремниевых транзисторов

Исследователи из Массачусетского технологического института обнаружили, что сплав под названием InGaAs (арсенид индия-галлия) может содержать потенциал для создания более компактных и более энергоэффективных транзисторов. Ранее исследователи считали, что производительность транзисторов InGaAs ухудшается в малых масштабах. …