Демонстрация электроабсорбционного модулятора Ge волновода на частоте 50 ГГц
Для будущих оптических межсоединений на уровне микросхем требуются интегрированные оптические модуляторы со строгими требованиями к эффективности модуляции и ширине полосы, а также к занимаемой площади и термостойкости. В представленной работе imec и ее партнеры улучшили современное состояние EAM Ge на Si, реализовав более высокую скорость модуляции, более высокую эффективность модуляции и более низкую емкость. …
Демонстрация электроабсорбционного модулятора Ge волновода на частоте 50 ГГцПодробнее »